收藏本站
型号 SI4426DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4426DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4426DY-T1-GE3
标准包装 2,500
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 25 毫欧 @ 8.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
SI4427BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
SI4430-A0-FM Silicon Laboratories Inc IC TXRX ISM 930MHZ 3.6V 20-QFN
SI4430-B1-FM Silicon Laboratories Inc IC TXRX 900-960MHZ -8-13DB 20QFN
SI4430-B1-FMR Silicon Laboratories Inc IC TXRX 900-960MHZ -8-13DB 20QFN
SI4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4430BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4430BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4430BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4431-A0-FM Silicon Laboratories Inc IC TXRX ISM 930MHZ 3.6V 20-QFN
SI4431-B1-FM Silicon Laboratories Inc IC TXRX 240-930MHZ -8-13DB 20QFN
SI4431-B1-FMR Silicon Laboratories Inc IC TXRX 240-930MHZ -8-13DB 20QFN
SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC